A SanDisk, divisão da Western Digital, registrou a patente US 12.430.274. Essa solução usa tecnologias de interconexão TSV (Through-Silicon Vias) e CBA (Chip-to-Chip Bonding Architecture) para empilhar memória de alta capacidade em estruturas 3D, reduzindo distâncias físicas e latências. Com a explosão de demandas por IA e computação de alto desempenho, essa abordagem promete aliviar a dependência excessiva de HBM (High Bandwidth Memory), que enfrenta escassez e altos custos.
Em resumo
-
Patente principal — US 12.430.274. B2 detalha tile de memória híbrido com NAND sob compute.
-
Capacidade — Até 4TB por stack de NAND Flash de alta densidade.
-
Conexões — TSVs e CBA para integração 3D com baixa latência.
-
Aplicação — Otimiza data centers de IA e HPC contra gargalos de HBM.
Detalhes técnicos da inovação
A patente descreve um sistema onde NAND Flash assume o papel de armazenamento de grandes volumes de dados, complementando a DRAM rápida como HBM para tarefas imediatas. Essa configuração minimiza o consumo de energia e potência ao posicionar a memória persistente mais próxima do processador, evitando transferências longas que consomem recursos. Engenheiros da SanDisk projetaram o empilhamento para suportar workloads intensivos de IA, onde o acesso rápido a datasets massivos define o desempenho geral. A estrutura 3D permite escalabilidade vertical, potencializando chips de próxima geração sem expandir footprints horizontais.
Contexto de mercado
O mercado de memória enfrenta pressão com a demanda por HBM disparando em GPUs como as séries AMD RX 9000, elevando preços em até 15 por cento devido à escassez. Soluções como essa da SanDisk surgem como alternativa econômica para data centers, onde custos operacionais representam barreiras críticas para expansão de IA. Fabricantes de hardware agora contam com opções para diversificar além da DRAM premium, acelerando adoção de modelos generativos e treinamentos em larga escala. Essa patente reforça a liderança da Western Digital em storage inovador, posicionando-a contra concorrentes como Samsung e Micron em um setor projetado para crescer exponencialmente.